[发明专利]一种具有室温铁磁性的Ge-SiN复合薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210354654.5 | 申请日： | 2012-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102832009A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 甄聪棉;刘秀敏;刘渊博;马丽;侯登录 | 申请（专利权）人： | 河北师范大学 |
| 主分类号： | H01F10/193 | 分类号： | H01F10/193;H01F41/18 |
| 代理公司： | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 | 代理人： | 董金国 |
| 地址： | 050024 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有室温铁磁性的Ge-SiN复合薄膜材料，其化学式为：[Gex-(SiN)y]z，式中，x、y、z分别表示Ge层厚度、SiN层厚度和循环溅射Ge和SiN薄膜的次数，其中，3nm≤x≤10nm，4nm≤y≤16nm，3≤z≤12（z取整数）。其制备方法是：采用量子限制效应原理制备多层膜使材料具有磁性。即射频循环溅射Ge和SiN。本发明与成熟的半导体工艺兼容，制备工艺简单。该复合薄膜材料在新型磁存储器、微型自旋电子学器件等方面都有潜在的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 室温 铁磁性 ge sin 复合 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有室温铁磁性的Ge‑SiN复合薄膜材料，其特征在于其化学式为：[Gex‑(SiN)y]z，式中，x 、y 、z分别表示Ge层厚度、SiN层厚度和循环溅射Ge和SiN薄膜的次数，其中，3 nm≤x≤10 nm，4 nm≤y≤16 nm，3≤z≤12（z取整数）。
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