[发明专利]部分三模冗余SRAM型FPGA的单粒子翻转特性的测试方法有效
申请号: | 201210355797.8 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN102901924A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 于庆奎;罗磊;张大宇;刘迎辉;唐民;祝名 | 申请(专利权)人: | 中国空间技术研究院 |
主分类号: | G01R31/317 | 分类号: | G01R31/317 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;王博 |
地址: | 100101*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种部分三模冗余SRAM型FPGA的单粒子翻转特性的测试方法,包括:在设定的注量率下辐照被测器,当器件输出特性不正确且停止粒子束辐照T1时间内器件功能未恢复正常,则记录1次单粒子错误,多次重复后计算单粒子错误截面;使粒子注量率不断降低,直到单粒子错误截面趋于稳定;提供另一不进行三模冗余加固的对比器件,在对比注量率下,辐照对比器件并计算单粒子错误截面算对比器件的单粒子错误截面与被测器件的单粒子错误截面的比值。 | ||
搜索关键词: | 部分 冗余 sram fpga 粒子 翻转 特性 测试 方法 | ||
【主权项】:
一种部分三模冗余SRAM型FPGA的单粒子翻转特性的测试方法,包括:1)用LET值大于翻转阈值的高能粒子,在设定的注量率下辐照被测器件,当器件输出特性不正确且在停止粒子束辐照的时间T1内器件功能未恢复正常时,则记录1次单粒子错误,重新配置FPGA器件功能,并多次重复辐照被测器件以得到累计的单粒子错误,并计算单粒子错误截面;2)使粒子的LET值不变而注量率降低,并重复上述步骤1),得到另一单粒子错误截面,若该单粒子错误截面与前一次单粒子错误截面的差异小于一预定值,则取该次单粒子错误截面为被测器件的最终单粒子错误截面值,若该单粒子错误截面与前一次单粒子错误截面之差大于一预定值,则继续重复该步骤2);3)提供另一与被测器件相同的不进行三模冗余加固的对比器件,用与步骤1)中的LET值相同的高能粒子,在对比注量率下,辐照对比器件,当器件输出特性不正确且在停止粒子束辐照的时间T1内器件功能未恢复正常,则记录1次单粒子错误,并多次重复辐照对比器件以得到多次单粒子错误,并计算单粒子错误截面;4)计算未三模冗余加固的对比器件的单粒子错误截面与步骤2)得到的被测器件的最终单粒子错误截面的比值。
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