[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210356107.0 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103681507B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底，所述衬底上至少包含第一鳍片和第二鳍片；在所述衬底上沉积高功函金属材料层，以覆盖所述第一鳍片和所述第二鳍片；在所述第二鳍片及两侧的所述高功函金属材料层上形成低功函金属材料层，以在所述第二鳍片上形成功函金属材料叠层；沉积栅极图案掩膜层，蚀刻所述低功函金属材料层和所述高功函金属材料层，以在所述第一鳍片和所述第二鳍片上形成栅极结构。本发明所述方法制备得到的器件中阈值电压（Vth）可控的，而且所述方法制备得到的双金属栅极之间没有节点，为独立的双栅极FinFET，使半导体器件的阈值电压（Vth）更加稳定，增强了SRAM单元的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上至少包含第一鳍片和第二鳍片；在所述衬底上沉积高功函金属材料层，以覆盖所述第一鳍片和所述第二鳍片；在所述第二鳍片及两侧的所述高功函金属材料层上形成低功函金属材料层，以在所述第二鳍片上形成功函金属材料叠层；沉积栅极图案掩膜层，蚀刻所述低功函金属材料层和所述高功函金属材料层，以在所述第一鳍片和所述第二鳍片上形成栅极结构；去除所述第一鳍片顶部上的所述高功函金属材料层，以在所述第一鳍片的两侧形成独立的双栅极无结结构，同时去除所述第二鳍片顶部上的所述高功函金属材料层和所述低功函金属材料层，以在所述第二鳍片两侧形成独立的双栅极无结结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
