[发明专利]光生伏打电池制造有效
申请号: | 201210356786.1 | 申请日: | 2008-09-01 |
公开(公告)号: | CN103000756A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | R.A.巴多斯;T.特鲁普克 | 申请(专利权)人: | BT成像股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G01N21/95 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马丽娜;王忠忠 |
地址: | 澳大利亚新*** | 国省代码: | 澳大利亚;AU |
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摘要: | 光生伏打电池制造。本发明公开了一种制造至少一个半导体光生伏打电池或模块以及用于对半导体材料进行分类的方法(300)。所述方法涉及到在所述制造工艺的多个阶段(312-324)当中的每一个阶段对晶片进行发光成像,以及把获得自关于相同晶片的所述成像步骤的至少两个图像进行比较以便识别出制造工艺引发的瑕疵的发生或增大。如果所识别出的工艺引发的瑕疵超出预定的可接受度水平,则从所述制造工艺(310)中移除(351-356)所述晶片,或者可以补救所述缺陷或者将所述晶片传递到其他制造工艺以匹配其特性。 | ||
搜索关键词: | 光生伏打 电池 制造 | ||
【主权项】:
一种制造至少一个半导体光伏器件的方法,所述方法包括以下步骤:获得与半导体光伏器件制造工艺的至少一个阶段相关联的至少一个半导体晶片的多个图像;对所述多个图像中的至少两个图像进行比较,以便识别出所述至少一个晶片中的瑕疵的发生或增大;以及确定所识别出的这种瑕疵的发生或增大是否超出预定的可接受度水平。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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