[发明专利]成膜装置和基板处理装置有效
申请号: | 201210357121.2 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN103014671A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 本间学 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供成膜装置和基板处理装置。该成膜装置具有在周向上互相分隔开的处理区域,在处理区域之间配置分离气体喷嘴,自分离气体喷嘴分别供给分离气体而将处理区域相互间分隔开。此时,在比分离气体喷嘴靠旋转台的旋转方向下游侧的位置设有用于在其与旋转台的上表面之间形成狭窄的空间的第1顶面。另外,在该第1顶面中的靠旋转台的旋转方向上游侧的部分设有比第1顶面位置高的第2顶面。 | ||
搜索关键词: | 装置 处理 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其在真空容器内反复多次进行依次向基板供给多种处理气体的循环而形成薄膜,其中,该成膜装置包括:旋转台,其设置在上述真空容器内,在旋转台上表面上,在周向上具有用于载置基板的基板载置区域,该旋转台使该基板载置区域公转;多个处理气体供给部,其用于向在该旋转台的周向上互相分隔开的处理区域分别供给互不相同的处理气体;分离部,其配置有分离气体喷嘴,并从上述旋转台的中央侧延伸到外周侧,用于向形成在各处理区域之间的分离区域供给分离气体而使各处理区域的气氛分离开;排气口,其设置在上述旋转台的外缘侧,用于对上述真空容器内的气氛进行真空排气;上述分离部包括:第1顶面,其设置在比上述分离气体喷嘴靠上述旋转台的旋转方向下游侧的位置,在该第1顶面与上述旋转台的上表面之间从该旋转台的中央侧到外周侧形成有狭窄的空间,用于阻止处理气体进入到该狭窄的空间中;第2顶面,其设置在比上述分离气体喷嘴靠上述旋转台的旋转方向上游侧的位置,从上述旋转台的中央侧到外周侧形成为比上述第1顶面位置高;上述排气口以与气体滞留空间相连通的方式设置,该气体滞留空间为上述第2顶面和上述旋转台之间的区域。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的