[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210358628.X | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103681508A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;符雅丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/768;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。其中在半导体器件制造方法中，包括提供绝缘层，其中绝缘层覆盖至少一个半导体器件的有源区和栅极，在绝缘层中形成用于有源区的连接孔，以便暴露有源区的至少一部分，其中连接孔包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分，所述连接孔的第一部分邻近于有源区，并且第一宽度小于第二宽度，在所述连接孔中填充金属材料以形成用于所述有源区的接触。从而所形成用于有源区的接触也包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分，从而增加了有源区接触的宽度，改善了沟道应力性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，其特征在于：提供绝缘层，其中绝缘层覆盖至少一个半导体器件的有源区和栅极；在绝缘层中形成用于所述有源区的连接孔，以便暴露所述有源区的至少一部分，其中所述连接孔包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分，所述连接孔的第一部分邻近于所述有源区，并且第一宽度小于第二宽度；在所述连接孔中填充金属材料以形成用于所述有源区的接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
