[发明专利]使用选择性外延生长制造的半导体器件无效
| 申请号： | 201210359902.5 | 申请日： | 2009-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102856387A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·尼尔·梅雷特;伊戈尔·桑金 | 申请（专利权）人： | SSSCIP有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了使用下述方法制造的半导体器件，所述方法为自对准方法，并包括使用再生长掩模材料进行选择性外延生长以形成器件的栅极区或源/漏区。所述方法可消除对离子注入的需要。所述器件可由诸如SiC等宽带隙半导体材料制成。所述再生长掩模材料可以为TaC。这些器件可用于苛刻的环境，包括涉及接触辐射和/或高温的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 选择性 外延 生长 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有选择性再生长的栅极区的半导体器件，所述半导体器件包含：衬底；形成在所述衬底上的P型缓冲层；形成在所述缓冲层上的n型沟道层；形成在所述沟道层上的凸起的n型区域；和在凸起的n型区域之间的p型栅极区。
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