[发明专利]一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法

摘要

本发明公开了一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法，包括以下步骤：在基板上镀ITO薄膜层；在ITO薄膜层上涂布光刻胶；对光刻胶曝光；对光刻胶显影并硬化；蚀刻ITO薄膜层；去除光刻胶；在ITO薄膜层上溅射金属层；涂布二次光刻胶；对二次光刻胶一次曝光；对二次光刻胶二次曝光；对二次光刻胶显影并硬化；蚀刻金属层，形成金属电极图形；去二次光刻胶，形成金属电极。本发明的方法可以制作出金属层和ITO薄膜层的复合电极，即使表面的金属层被划伤、划断，电极仍然可以使用，本发明提高了电极的质量、增强电极的耐用性能。

主权项

一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法，其特征在于，包括以下步骤：    （1）、在基板上真空溅射ITO薄膜层，真空度：0.01~0.5Pa，温度：220~350℃，ITO薄膜层的厚度5nm~25nm；    （2）、在ITO薄膜层上涂布光刻胶，将ITO薄膜层覆盖，光刻胶的厚度1000~2000nm，均匀性10%以内，预烘温度：60~100℃；    （3）、对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：60~150mj，ITO电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸：20微米~200微米；（4）、对光刻胶进行显影并硬化，显影采用有机碱，浓度1~4%，或者NaOH，浓度0.1~0.8%，温度：20~40℃，时间20秒~300秒，硬化温度：80~120℃，时间20~50分钟；（5）、蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层电极图形，蚀刻使用材料：HCL10%~20%+HNO3 2%~10%，温度：40~60℃，时间：120~600秒；（6）、去除光刻胶，形成ITO电极，使用材料：有机溶液，有机溶液为：二甘醇丁醚80~90%+已醇胺10%~20%，时间5分钟内，最后用纯水漂洗；（7）、在ITO薄膜层电极图形层上镀金属层，真空度0.01~0.5Pa，温度：40~250℃；（8）、在金属层上涂布二次光刻胶，二次光刻胶的厚度500~2000nm，均匀性10%以内，预烘温度：60~100℃；（9）、对光刻胶进行曝光，即在二次光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：60~150mj，金属电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米~200微米；（10）、对一次曝光过后的电极图形上进行二次曝光，曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：60~150mj，金属电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米~200微米；（11）、对二次光刻胶进行显影并硬化，形成电极图形，显影采用有机碱，浓度1~4%，或者NaOH，浓度0.1~0.8%，温度：20~40℃，时间20秒~300秒，硬化温度：80~120℃，时间20~50分钟；（12）、蚀刻金属层，使金属层形成金属电极图形，用弱酸蚀刻金属层，蚀刻时间控制在10分钟内，弱酸组成：磷酸50%~80%+醋酸5%~15%；（13）、去除二次光刻胶，形成金属电极，使用材料：有机溶液，有机溶液为：二甘醇丁醚80%~90%+已醇胺10%~20%，时间：5分钟内，再用纯水漂洗。