[发明专利]用于FinFET器件的鳍结构有效
| 申请号： | 201210362410.1 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103367440A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 乔治斯·威廉提斯;马克·范·达尔;布兰丁·迪里耶;查理德·奥克斯兰德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种用于鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍结构。器件包括：衬底、设置在衬底上的第一半导体材料、设置在衬底上方并且形成在第一半导体材料的相对两侧的浅沟槽隔离(STI)区、以及形成在STI区上设置的第一鳍和第二鳍的第二半导体材料，第一鳍与第二鳍间隔第一半导体材料的宽度。鳍结构可以用于通过形成在第一鳍、在第一鳍和第二鳍之间设置的第一半导体材料的顶面、以及第二鳍上方形成的栅极层来生成FinFET器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种用于鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍结构，包括：衬底；第一半导体材料，设置在所述衬底上；浅沟槽隔离(STI)区，设置在所述衬底上方并形成在所述第一半导体材料的相对侧上；以及第二半导体材料，形成在所述STI区上设置的第一鳍和第二鳍，所述第一鳍与所述第二鳍间隔所述第一半导体材料的宽度。
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