[发明专利]磁阻感测组件与磁阻传感器有效
| 申请号： | 201210362417.3 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103033772A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 傅乃中;陈光镜;刘富台 | 申请（专利权）人： | 宇能电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种磁阻感测组件与磁阻传感器。磁阻感测组件包含一长形的水平磁阻层、一导电部与一第一磁场感应层。水平磁阻层位于基板表面上方，沿着其长度延伸方向具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧。导电部位于该水平磁阻层的上方或下方与其电耦合，该长形的水平磁阻层与该导电部构成至少一电流路径。第一磁场感应层是不平行于该基板表面，在该水平磁阻层的该第一侧处与该水平磁阻层磁耦合。磁阻传感器包含一惠斯通电桥的配置，此惠斯通电桥具有四只电阻臂，每一只该电阻臂包含上述的磁阻感测组件。本发明的设置使得成本较低、装置的不良率下降以及封装的困难度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 组件 传感器 | ||
【主权项】：
一种磁阻感测组件，其特征在于，包含：一长形的水平磁阻层，位于一基板的表面上方，沿着其长度延伸方向具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧；一导电部，在该水平磁阻层的上方或下方与其电耦合，该长形的水平磁阻层与该导电部构成至少一电流路径；一第一磁场感应层，不平行于该基板表面，在该水平磁阻层的该第一侧处与该水平磁阻层磁耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宇能电科技股份有限公司，未经宇能电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210362417.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
