[发明专利]一种薄膜温度烧蚀复合传感器及其制备方法无效
申请号: | 201210362540.5 | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN102901534A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 景涛;谢贵久;颜志红;程文进;白庆星;何峰;王栋;张环宇 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | G01D21/02 | 分类号: | G01D21/02;B81C1/00 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强;陈建国 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜温度烧蚀复合传感器及其制备方法,所述传感器是一种绝热层材料烧蚀温度与烧蚀速率测量集成型薄膜传感器。本发明采用微机械加工技术在基片表面制作了一组薄膜热电偶,然后将薄膜热电偶垂直埋设于绝热层内,这样,在绝热层材料的烧蚀过程中,就可以通过薄膜热电偶组测量出绝热层烧蚀面以及绝热层不同深度点的温度,并可通过薄膜热电偶的通断判断绝热层烧蚀面的位置,结合烧蚀时间,可得出绝热层材料的烧蚀速率。采用这种发明的有益效果是可同时对绝热层材料烧蚀过程中的温度变化及绝热层烧蚀速率进行测量,为绝热层的设计提供数据参考,并且采用这种发明的薄膜温度烧蚀传感器制备工艺简单,结构可靠。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 温度 复合 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜温度烧蚀复合传感器,其特征在于,所述薄膜温度烧蚀复合传感器(1)包括基片(2),设于基片(2)上的过渡层(3),设于过渡层(3)上的薄膜热电偶阵列;所述薄膜热电偶阵列上设有保护膜(6);所述薄膜热电偶阵列由两个以上包括A电极(4)和B电极(5)的薄膜热电偶(10)构成;所述薄膜热电偶(10)包括将薄膜热电偶(10)的热电势信号引出的补偿导线(7);所述基片(2)材料为Al2O3陶瓷;所述过渡层(3)材料为Ta2O5;所述保护膜(6)为电介质材料。
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