[发明专利]有源矩阵式有机电致发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210363741.7 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102881835A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 吴元均 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种有源矩阵式有机电致发光二极管及其制备方法，所述有源矩阵式有机电致发光二极管包括：有机电致发光二极管本体及电性连接于该有机电致发光二极管本体的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成于基板上，其包括形成于基板上的半导体层、形成于半导体层上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的栅极、形成于栅极上的保护层、及形成于保护层上的源极与漏极，该发光二极管本体包括形成于保护层上并电性连接于薄膜晶体管的阳极、形成于阳极上的有机发光层、及形成于有机发光层上的阴极，所述有机电致发光二极管本体交错设置于该薄膜晶体管的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 有机 电致发光 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有源矩阵式有机电致发光二极管，其特征在于，包括：有机电致发光二极管本体及电性连接于该有机电致发光二极管本体的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成于基板上，其包括形成于基板上的半导体层、形成于半导体层上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的栅极、形成于栅极上的保护层、及形成于保护层上的源极与漏极，该发光二极管本体包括形成于保护层上并电性连接于薄膜晶体管的阳极、形成于阳极上的有机发光层、及形成于有机发光层上的阴极，所述有机电致发光二极管本体交错设置于该薄膜晶体管的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-54 .. 材料选择
