[发明专利]MoTi靶材及其制造方法无效
| 申请号： | 201210364164.3 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103014638A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 上滩真史;井上惠介 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;B22F3/12;C22C14/00;C22C27/04;C22C30/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以改善膜剥离的问题且可以维持低电阻值的MoTi靶材及其制造方法。本发明的MoTi靶材具有含有Ti 20~80原子%且剩余部分由Mo和不可避免的杂质构成的组成，作为所述不可避免的杂质之一的氢为10质量ppm以下。另外，本发明的MoTi靶材可以通过在低于100Pa的压力、800℃以上、0.5小时以上的条件下对MoTi烧结体进行热处理的工序而得到。 | ||
| 搜索关键词： | moti 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MoTi靶材，其特征在于，具有含有Ti 20~80原子%且剩余部分由Mo和不可避免的杂质构成的组成，所述作为不可避免的杂质之一的氢为10质量ppm以下。
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