[发明专利]一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用无效
| 申请号： | 201210366405.8 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102903846A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 沈波;孙明成;翟继卫;胡益丰 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，具体涉及一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用。本发明的Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜中Sb80Te20薄膜和SbSe薄膜交替排列，其中，单层Sb80Te20薄膜的厚度为2～16nm，单层SbSe薄膜的厚度为6～20nm，所述Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜总厚度为60～200nm。本发明材料与传统的相变薄膜材料相比，具有较快的晶化速度，较好的数据保持能力，并且本发明的材料在相变前后高低电阻之比达到三个数量级以上，保证了在相应相变存储器中足够的开关比，在相变存储器领域具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sb sub 80 te 20 sbse 纳米 复合 多层 相变 薄膜 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜，所述Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜中Sb80Te20薄膜和SbSe薄膜交替排列，其中，单层Sb80Te20薄膜的厚度为2～16nm，单层SbSe薄膜的厚度为6～20nm，所述Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜总厚度为60～200nm。
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