[发明专利]一种硒化霍山石斛培养物的生产方法有效
| 申请号： | 201210366731.9 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102835317A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 杨思林 | 申请（专利权）人： | 安徽省华信生物药业股份有限公司 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 合肥金安专利事务所 34114 | 代理人： | 金惠贞 |
| 地址： | 236500 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硒化霍山石斛培养物及其生产方法。该方法包括诱导获取霍山石斛无菌实生苗，黑暗协同低盐培养基选育获取耐硒霍山石斛愈伤组织，蓝光辅助低盐培养基驯化硒化霍山石斛愈伤组织，日光灯光照生产硒化霍山石斛培养物；按本发明所描述的方法生产的硒化霍山石斛培养物的干燥成品中有机硒质量分数不低于50µg/g，本发明提供的方法可实现低成本、标准化、规模化生产无激素、无农药残留的高品质霍山石斛替代物，硒化霍山石斛培养物产品具有霍山石斛与有机硒的活性品质，可在医药、保健品中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 霍山 石斛 培养 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种硒化霍山石斛培养物的生产方法，其特征在于：包括利用固体高盐培养基诱导获取霍山石斛无菌实生苗，黑暗协同低盐培养基选育获取耐硒霍山石斛愈伤组织，蓝光辅助低盐培养基驯化硒化霍山石斛愈伤组织，日光灯光照生产硒化霍山石斛培养物；干燥的硒化霍山石斛培养物中有机硒质量分数不低于50µg/g。
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