[发明专利]存储器及其字线电压产生电路有效

专利信息
申请号: 201210366860.8 申请日: 2012-09-27
公开(公告)号: CN102867535A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 杨光军 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C7/12 分类号: G11C7/12
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种存储器及其字线电压产生电路,该电路还包括字线电源电压产生电路、读写控制切换单元、预译码器、行译码器、高电压产生模块及正常电压产生模块,其中高电压产生模块连接于一控制脉冲及高电压,并接至预译码器的输入端,以于控制脉冲为高时将高电压作为高电压产生模块的输出电压提供给预译码器,以减少预译码器输出的地址驱动信号的上升沿;正常电压产生模块,连接于控制脉冲及读写控制切换单元,并接至预译码器的输入端,以于控制脉冲为低时将读写控制电压作为正常电压产生模块的输出电压提供给预译码器,本发明可解决因预译码器推动不足造成字线电压上升缓慢而影响存储单元读写速度的问题。
搜索关键词: 存储器 及其 电压 产生 电路
【主权项】:
一种字线电压产生电路,以产生存储单元字线上的读写操作字线电压,包括字线电源电压产生电路、读写控制切换单元、预译码器及行译码器,其特征在于,该字线电压产生电路还包括:高电压产生模块,连接于一控制脉冲及高电压,并接至该预译码器的输入端,以于该控制脉冲为高时将该高电压作为该高电压产生模块的输出电压提供给该预译码器,以减少该预译码器输出的地址驱动信号的上升沿;以及正常电压产生模块,连接于该控制脉冲及该读写控制切换单元,并接至该预译码器的输入端,以于该控制脉冲为低时将该读写控制切换单元输出的读写控制电压作为该正常电压产生模块的输出电压提供给该预译码器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210366860.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top