[发明专利]一种解决曝光不足引起的曝光区域缺陷的方法无效
| 申请号： | 201210367794.6 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102866581A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种解决曝光不足引起的曝光区域缺陷的方法，在曝光工序通过降低曝光能量而增大实际形成的临界尺寸；在蚀刻工序先利用等离子体去除待蚀刻层上的光刻胶残留物，再继续对所述待蚀刻层进行蚀刻。本发明能够消除因曝光不足带来的光刻胶残留物，从而解决蚀刻后的曝光区域缺陷，避免为了修正临界尺寸而下线新的掩膜版支付的高昂费用，以节约生产成本，节省了工序周期时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 曝光 不足 引起 区域 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种解决曝光不足引起的曝光区域缺陷的方法，其特征在于，该方法包括：在曝光工序通过降低曝光能量而增大实际形成的临界尺寸；在蚀刻工序先利用等离子体去除待蚀刻层上的光刻胶残留物，再继续对所述待蚀刻层进行蚀刻。
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