[发明专利]真空循环精炼太阳能级多晶硅设备及太阳能级多晶硅提炼方法无效
| 申请号： | 201210368779.3 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103058197A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 孙文彬 | 申请（专利权）人： | 孙文彬;黄秀敏 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 何为;袁颖华 |
| 地址： | 中国台湾台中市西屯区*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种真空循环精炼太阳能级多晶硅设备及太阳能级多晶硅提炼方法，该设备包括真空脱气炉与循环法真空处理炉。利用置于真空脱气炉内的盛硅桶装载液态硅原料，再控制真空脱气炉与循环法真空处理炉的压力，配合一惰性气体导入装置，使得液态硅可以进行搅拌等作业，达到去除杂质的目的。利用本发明的设备可直接制造出预定浓度的多晶硅溶液，大幅缩短多晶硅制造所需的时间与成本。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 循环 精炼 太阳 能级 多晶 设备 提炼 方法 | ||
【主权项】：
一种真空循环精炼太阳能级多晶硅设备，其特征在于：该设备包括真空脱气炉和循环法真空处理炉，其中：该真空脱气炉包含：真空室，包括第一抽真空嘴与结合孔；盛硅桶，设置于该真空室内，并对应位于该结合孔的下方，用以盛装液态硅溶液或是固态硅；及，惰性气体导入装置，设置于该盛硅桶； 该循环法真空处理炉包含：第二抽真空嘴与单嘴连通管，该单嘴连通管经该结合孔插入该盛硅桶，并使该结合孔与该循环法真空处理炉接合处密封，又，使该惰性气体导入装置所导入的惰性气体往该单嘴连通管移动；其中，经由该第一抽真空嘴与该第二抽真空嘴分别对该真空脱气炉与该循环法真空处理炉进行抽真空处理，并利用调整该真空脱气炉与该循环法真空处理炉的真空度来控制液态硅溶液在该循环法真空处理炉内的高度。
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