[发明专利]一种晶体硅\非晶硅双节双面电池及其制造方法

摘要

一种晶体硅\非晶硅双节双面电池及其制造方法。本发明公开了一种环形正面电极，包括：主栅和细栅；所述细栅为一组以硅片中心为圆心的同心圆环；主栅为中间宽两头尖的针叶形；主栅将细栅等分。本发明根据扩散后硅片薄层电阻值的分布特点设计太阳能电池的正面电极，电性能、加宽了烧结窗口，降低了烧结不良的风险，使电池片功率的整体分布更高更集中，同时也进一步减少了银浆的使用量，降低了成本。

主权项

一种晶体硅\非晶硅双节双面电池，其特征在于：包括： N型硅衬底（a）、非晶硅I层（b）、微晶硅P层（c）、非晶硅N层（d）、微晶硅N层（e）、非晶硅本征层（f）、非晶硅P层（g）、透明导电电极（h）、电池的正极（j）和电池的负极（k）；所述电池从上而下依次为：电池的正极（j）、透明导电电极（h）、非晶硅P层（g）、非晶硅本征层（f）、微晶硅N层（e）、微晶硅P层（c）、非晶硅I层（b）、N型硅衬底（a）、非晶硅I层（b）、非晶硅N层（d）、透明导电电极（h）、电池的负极（k）。