[发明专利]一种改善晶圆内图案临界尺寸均匀度的蚀刻方法和系统

摘要

本发明公开了一种改善晶圆内图案临界尺寸均匀度的蚀刻方法，以第一蚀刻气体对未被光刻胶图案覆盖的底部抗反射涂层进行蚀刻，当第一蚀刻气体接触到衬底时停止蚀刻，以第二蚀刻气体对残余的未被光刻胶图案覆盖的底部抗反射涂层继续蚀刻，同时第二蚀刻气体对光刻胶图案发生各向同性的侧向反应，直至未被光刻胶图案覆盖的底部抗反射涂层被全部蚀刻。本发明还提供了一种改善晶圆内图案临界尺寸均匀度的蚀刻系统。本发明可改善晶圆曝光区域内图案临界尺寸的均匀度，避免下线新掩膜版而支付高昂费用，节省工序周期时间。

主权项

一种改善晶圆内图案临界尺寸均匀度的蚀刻方法，其特征在于，该方法包括：提供一衬底，于所述衬底上形成一底部抗反射涂层，于所述底部抗反射涂层上形成一光刻胶图案；以第一蚀刻气体对未被所述光刻胶图案覆盖的底部抗反射涂层进行蚀刻，直至所述第一蚀刻气体接触到所述衬底；以第二蚀刻气体对残余的未被光刻胶图案覆盖的底部抗反射涂层继续蚀刻，同时所述第二蚀刻气体对所述光刻胶图案发生各向同性的侧向反应，直至所述未被光刻胶图案覆盖的底部抗反射涂层被全部蚀刻。