[发明专利]一种选择性发射极电池掩膜的制备方法

摘要

本发明公开一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反应炉腔，炉腔内压强抽真空；升高压强，同时通入N2O；检测炉管压强，30s内降低压强；进行预沉积处理，通入NH3、SiH4和N2O；沉积处理，同时向炉管内通入NH3、 SiH4 和N2O；沉积完毕后降温，同时通入N2进行吹扫及冷却处理。本发明方法制作氮氧化硅掩膜的低温效果降低了温度对硅片少子寿命的影响，同时在二次扩散时不会因为高温导致部分氢键断裂造成氮化硅掩膜结构损伤而引起掩膜功能失效，掩膜效果优于氮化硅薄膜，同时还能阻挡其他杂质金属离子，降低硅片污染。

主权项

一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：(1)将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反应炉管，炉管内温度加热至400~430℃，在4min内压强抽真空至80mTorr；(2)升高压强至1700mTorr；持续3min，同时通入N2O流量为4.4slm；(3)检测炉管压强，30s内降低压强至50mTorr；(4)进行预沉积处理，在0.3min内维持压强900~1200mTorr，电源功率4300W，通入NH3流量为1~1.2slm，SiH4流量为230~270sccm，N2O流量为4~4.2slm；(5)沉积处理，升高炉温至450℃，持续1.5min，同时向炉管内通入NH3流量为2450~2600sccm，SiH4 流量为900~1000sccm，N2O 流量为14~17slm，低频电源功率维持4300W；(6)沉积完毕后降温至420℃，压强升至10000mTorr，持续5min，同时通入N2进行吹扫及冷却处理。