[发明专利]使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的制造方法及制造装置

摘要

本发明的技术问题在于在采用了非晶金属氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)的制造中将赋予氧化物以半导体特性的处理低温化并缩短处理时间。本发明进行包含工序A和工序B的处理：工序A即对工件台(8)上的工件(7)的非晶金属氧化物照射包含生成活性氧的波长范围和将上述氧化物活化而除去混入氧化物中的氢的波长范围的光；和工序B即在混入氧化物中的氢被除去且在氧化物附近生成了活性氧的状态下照射包含将氧化物加热的波长范围的光以促进氧向氧化物内的扩散。工序A通过照射包含波长为230nm以下的波长范围的光例如照射来自稀有气体荧光灯(10)或闪光灯的光来进行，工序B通过照射波长为800nm以上的波长范围的光例如照射来自闪光灯(20)的光来进行。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其是在基板上至少形成有栅极电极、源极电极、漏极电极、半导体层、栅极绝缘膜、且所述半导体层由非晶金属氧化物构成的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其包含：在含有氧的气氛中，对基板上设置的所述氧化物，照射包含生成活性氧的波长范围和将所述氧化物活化而除去混入所述氧化物中的氢的波长范围的光的工序A；和在混入所述氧化物中的氢被除去且在所述氧化物附近生成了活性氧的状态下、照射包含将所述氧化物加热的波长范围的光以促进氧向所述氧化物内的扩散的工序B。