[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201210369837.4 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103077907A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 宫城雅宏;藤川和宪 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在基板处理装置(1)中,通过由二氧化碳溶解单元(62)控制二氧化碳向纯水的溶解量,使除电液的电阻率成为目标电阻率。接着,通过除电液供给部(6)向基板(9)上供给电阻率比SPM液的电阻率大的除电液,使除电液充满基板(9)的整个上表面(91),从而使基板(9)比较缓慢地除电。并且,在结束了除电处理之后,通过处理液供给部(3)向基板(9)上供给SPM液来进行SPM处理。由此,能防止进行SPM处理时大量的电荷从基板(9)向SPM液急剧移动的情况,能防止基板(9)的损伤。另外,通过将除电液的电阻率维持在目标电阻率,能在基板(9)不发生损伤的范围内,提高基板(9)的除电效率,并缩短除电处理所需要的时间。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,用于处理基板,其特征在于,具有:基板保持部,以使基板的主表面朝向上侧的状态保持基板;处理液供给部,向上述基板的上述主表面供给处理液;除电液供给部,将包含离子的液体或者纯水作为电阻率比上述处理液的电阻率大的除电液供给至上述基板的上述主表面;电阻率设定部,用于设定上述除电液的目标电阻率;控制部,通过控制上述处理液供给部以及上述除电液供给部,从而控制上述除电液中的离子浓度来将上述除电液的电阻率维持在上述目标电阻率,并且将上述除电液供给至上述基板的上述主表面上,使上述除电液充满上述基板的整个上述主表面,之后,将上述处理液供给至上述基板的上述主表面上来进行规定的处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造