[发明专利]选择性发射极电池的制备方法有效
申请号: | 201210369890.4 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN102881770A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 胡海波;杨伟光;贾财良;翁浩 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种选择性发射极电池的制备方法。该方法依次包括损伤层的去除及绒面制备、扩散制作p-n结、表面PSG的去除及周边p-n结的去除、钝化减反射层的制备、金属化、以及分选,在扩散制作p-n结步骤与表面PSG的去除及周边p-n结的去除步骤之间进一步包括激光掺杂制作选择性发射极的步骤。应用本发明的技术方案,只需在现有的常规太阳能电池的制备工艺基础上添加一步激光掺杂制作选择性发射极的步骤,就可以完成选择性发射极电池的制备,工艺步骤简单,而且操作参数容易控制,适宜大规模的工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 选择性 发射极 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种选择性发射极电池的制备方法,依次包括损伤层的去除及绒面制备、扩散制作p‑n结、表面PSG的去除及周边p‑n结的去除、钝化减反射层的制备、金属化、以及分选,其特征在于,在所述扩散制作p‑n结步骤与所述表面PSG的去除及周边p‑n结的去除步骤之间进一步包括激光掺杂制作选择性发射极的步骤。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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