[发明专利]一种二硫化钨微米结构的制备方法无效
| 申请号： | 201210371179.2 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102897841A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李京波;孟秀清;李庆跃;李凯;池旭明;夏建白 | 申请（专利权）人： | 浙江东晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G41/00 | 分类号： | C01G41/00 |
| 代理公司： | 金华科源专利事务所有限公司 33103 | 代理人： | 黄飞 |
| 地址： | 321016 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体微米材料制造类，具体涉及到一种二硫化钨微米结构的制备方法，其特征在于：采用化学气相沉积（CVD）方法，以硫脲和六氯化钨（WCl6）为反应源，在750-950℃真空状态下反应而得到。本发明通过将硫脲和 WCl6 分别放在反应系统的恒温区和低温区，使WC l6反应温度保持在750-950℃，WCl6与硫脲的温差保持在50-150℃，利用二者的温差使其在特定温度下同时达到饱和蒸汽压，产生蒸汽，进行反应。本发明不仅具有简单易行、环保无毒，还具有产物尺寸均匀的特点，特别是以无毒的硫脲作为S源，既降低了生产成本又减少了H2S等S源的毒性，是一种既经济实惠又环保的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 微米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二硫化钨微米结构的制备方法，其特征在于：采用化学气相沉积方法，以硫脲和六氯化钨为反应源，在750‑950℃真空状态下反应而得到。
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