[发明专利]一种晶体硅太阳电池制备PN结的方法有效
| 申请号： | 201210372593.5 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102867738A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 刘亚;郭志球;苏旭平;王建华;涂浩;吴长军;彭浩平 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 213164 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，具体的说，是一种在P型硅硅片上制备新型高效，低成本，大面积PN结的方法。本发明结合管式扩散炉和隧道炉的优点，创新式地在涂覆工艺之后，扩散之前添加一道预热处理工艺，将扩散源先固化在硅片上，再将硅片水平装入装片盒中，之后将装片盒传送至隧道炉中，这样在常规的隧道炉上就能够实现长时间的扩散而不会影响产量，生产出来的PN结既具有隧道炉所具有的均匀效果，又有管式扩散炉的吸杂效果，制备出来的电池效率不低于常规管式扩散炉，碎片率更低，能耗更低，扩散炉的产能能够根据装片盒的高低来调节，较小的设备投入就可以得到极高的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 制备 pn 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳电池制备PN结的方法，其特征在于包括如下步骤：1）在硅片表面均匀涂覆含磷的扩散源；2）在500℃‑700℃的条件下预热处理5‑10分钟将扩散源固化；3）将硅片叠在耐高温装片盒中；4）在800℃‑1000℃的条件下将表面的磷扩散进入硅片形成所需的PN结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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