[发明专利]掺氟氧化锡薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210374374.0 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102839348A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 蓝德均;崔旭梅;黄双华;邹敏;陈孝娥 | 申请（专利权）人： | 攀枝花学院 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 梁鑫;高芸 |
| 地址： | 617000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种成本更低、工艺更简单的利用射频磁控溅射技术制备掺氟氧化锡薄膜的方法，该方法包括如下步骤：a、将二氧化锡粉末和氟化物混合均匀，然后干燥；b、用步骤a干燥后的混合物制得粉末靶，然后安装于溅射仪的射频靶上；将基底材料进行清洗、干燥后安装于溅射仪真空室的样品位置上；c、开始溅射过程，制得掺氟氧化锡薄膜。本发明制备方法简单，生产成本低，制得的FTO薄膜也实现了较好的透光与导电性能，综合指标FTC值较高，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
掺氟氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：a、将二氧化锡粉末和氟化物混合均匀，然后干燥；b、用步骤a干燥后的混合物制得粉末靶，然后安装于溅射仪的射频靶上；将基底材料进行清洗、干燥后安装于溅射仪真空室的样品位置上；c、开始溅射过程，制得掺氟氧化锡薄膜。
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