[发明专利]一种高取向性二硒化钨纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201210374547.9 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102849692A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李京波;孟秀清;李庆跃;李凯;汪林望;池旭明 | 申请（专利权）人： | 浙江东晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 金华科源专利事务所有限公司 33103 | 代理人： | 黄飞 |
| 地址： | 321016 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二硒化钨纳米线的制备方法，特别是高取向性二硒化钨(WSe2)纳米线的制备方法，具体是采用两步反应法，首先以Na2WO4·2H2O和CH3CSNH2为反应溶质，以CTAB为络合剂，纯度为18兆欧以上的去离子水做反应溶剂，采用水热方法制备出WO2纳米线通过水热方法制备出了WO2纳米线，然后再将这种纳米线用纯度为99.9％以上的高纯硒硒化，获得了高取向性的二硒化钨纳米线。本发明是一种简单环保的方法，反应过程中采用WO2纳米线作为钨源，采用纯度为99.9％以上的高纯Se硒化，既缩短了反应时间、又避免了H2S、H2等危险性大的气体的使用，大大降低了反应成本、简化了反应设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 向性 二硒化钨 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高取向性二硒化钨纳米线的制备方法，其特征在于：采用两步反应法，首先以Na2WO4·2H2O和CH3CSNH2为反应溶质，以CTAB为络合剂，纯度为18兆欧以上的去离子水做反应溶剂，采用水热方法制备出WO2纳米线通过水热方法制备出了WO2纳米线，然后再将这种纳米线用纯度为99.9％以上的高纯硒硒化，获得了高取向性的二硒化钨纳米线。
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