[发明专利]透明导电性薄膜有效
| 申请号： | 201210374585.4 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103035325A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 梨木智刚;拝师基希;野口知功;石桥邦昭;梶原大辅 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜，其具备薄膜基材、和形成在所述薄膜基材上的透明导体图案、和形成在所述薄膜基材上的、埋设所述透明导体图案的粘合剂层，所述透明导体图案具有在所述薄膜基材上依次层叠有第一铟锡氧化物的晶体层和第二铟锡氧化物的晶体层的双层结构，所述第一铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量比所述第二铟锡氧化物的晶体层的氧化锡含量多。
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