[发明专利]一种多晶硅薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201210375067.4 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856173A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 孙拓 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于半导体技术领域，该多晶硅薄膜的制备方法包括以下步骤：（1）形成石墨烯层和非晶硅层，其中石墨烯层和非晶硅层相邻；（2）使非晶硅晶化形成多晶硅，得到多晶硅薄膜。通过该方法制得的多晶硅薄膜中的多晶硅具有无污染及缺陷密度低的优点，得到的多晶硅的晶粒大小均匀、排列有序且晶粒较大，进而具有较佳的表面平坦度。通过该方法制备的多晶硅薄膜内部的载流子的速率大大增加，并提升了多晶硅薄膜晶体管的元件表现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）形成石墨烯层和非晶硅层，其中石墨烯层和非晶硅层相邻；（2）使非晶硅晶化形成多晶硅，得到多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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