[发明专利]TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201210375596.4 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103698170A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 齐瑞娟;赵燕丽;段淑卿;陈柳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TEM样品的制备方法，其结合了现有技术中使用离子减薄和聚焦离子束两种方法的优势，利用聚焦离子束得到指定区域的样品，节省现有技术中机械研磨所需的时间，实现了定点样品制备；由离子减薄去除成像端面的非晶态层，以解决由聚焦离子束对成像端面造成的损伤，且进一步减小了TEM样品的厚度，避免了重影现象的产生，因此本发明所提供的TEM样品的制备方法可实现快速的定点样品制备的同时，解决了切割时非晶态端面以及重影对成像造成不良影响的问题。 | ||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TEM样品的制备方法，包括：通过切割从晶圆中截取初级样品；对截取的所述初级样品进行激光标记以指定目标区域；将初级样品放入聚焦等离子机台对指定的目标区域进行聚焦离子束切割，以得到在厚度方向上具有前后两个成像端面的样品；对聚焦离子束切割后的样品进行离子减薄。
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