[发明专利]一种离子注入附加掩膜的方法在审
| 申请号： | 201210375752.7 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102915915A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 赖朝荣;邓建宁;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入附加掩膜的方法，其属于离子注入技术领域，具体包括在所述多项目晶圆前增加一块掩膜板，并往所述多项目晶圆中注入N元素；所述N元素用于把所述多项目晶圆的硅表面非晶化；上述技术方案的有益效果是：大大简化了生产工艺的步骤，同时，离子注入掩膜板最多可以实现4种不同剂量注入，这意味着可以在同一片晶圆上实现4种不同厚度的栅氧化层，而原有多项目单晶圆流程至少需要额外三道光罩才能达到这个效果，在节省成本的同时，也降低了工艺流程生产周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 附加 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入附加掩膜的方法，用于多项目晶圆中，其特征在于，在所述多项目晶圆前增加一块掩膜板，并往所述多项目晶圆中注入N元素；所述N元素用于把所述多项目晶圆的硅表面非晶化。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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