[发明专利]一种改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法无效
| 申请号： | 201210375819.7 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102915909A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李阳柏;张传民;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法。本发明实施例一种改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法，通过在设备内持续通入化学性质比较稳定的电子级气体，使得设备内气体环境无氧及颗粒污染物，从而能有效避免传统工艺中，由于清洗设备中的气体环境存在氧及颗粒污染物，而对清洗硅片造成硅片再次污染和硅片与空气中氧气反应生成氧化层及水痕的缺陷，从而大大的增加了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 酸槽式 硅片 清洗 设备 内环境 方法 | ||
【主权项】：
一种改进酸槽式硅片清洗设备内环境的方法，应用于硅片清洗工艺中，包括酸槽式硅片清洗设备，所述酸槽式硅片清洗设备内设置有药液槽，其特征在于，在硅片清洗处理工艺前，于酸槽式硅片清洗设备内持续通入常况下化学性质较为稳定的电子级气体，以在进行硅片清洗处理工艺时保持纯净的气体环境。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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