[发明专利]一种大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法

摘要

本发明提供一种大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法，先于半导体衬底表面制作多个发光单元，且由相邻的两个发光单元组成并联单元；然后制作掩膜版并依据并各该联单元进行正划形成裂片走道；然后依据掩膜版进行ICP刻蚀，以在并联单元内的两个发光单元交接处形成隔离走道，同时在所述裂片走道及隔离走道侧壁形成波浪形的粗化结构；最后制作电极、背镀反射镜以及裂片以获得相互隔离的并联单元。本发明可以提高芯片的稳定性；将传统的单颗功率型LED芯片改成两颗并联，通过优化芯片电流密度的方式提高芯片的发光效率，并通过电流分流降低芯片的工作电压；侧壁的波浪形粗化结构有利于提高芯片的出光效率。

主权项

一种大电流密度、低电压功率型发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面依次形成包括N型层、量子阱层及P型层的发光元件，并于所述发光元件中定义多个发光单元，且每相邻的两个发光单元组成一并联单元；2）于各该发光单元制作N电极制备区域；3）于上述结构表面制作掩膜版，所述掩膜版在各该并联单元内的两个发光单元交接处具有预设宽度的窗口；4）对所述发光元件进行正划，于各该并联单元的交接处形成延伸至所述半导体衬底内且具有预设深度的裂片走道；5）依据所述掩膜版采用感应耦合等离子ICP刻蚀法对上述结构进行刻蚀，以在各该并联单元内的两个发光单元交接处形成直至所述半导体衬底的隔离走道，同时于各该裂片走道及隔离走道侧壁形成粗化结构；6）去除所述掩膜版；7）于各该发光单元的P型层上表面制作透明导电层，于各该透明导电层表面制作P电极，并于各该N电极制备区域制备N电极；8）从背面减薄所述半导体衬底，并于所述半导体衬底背面制作反射镜；9）依据各该并联单元进行裂片，获得独立的并联单元。