[发明专利]一种提高磁阀式可控电抗器响应速度的装置无效
申请号: | 201210376864.4 | 申请日: | 2012-09-29 |
公开(公告)号: | CN102867629A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 尹忠东;刘海鹏;赵士硕;李和明 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学 |
主分类号: | H01F27/42 | 分类号: | H01F27/42;H02J3/18 |
代理公司: | 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 | 代理人: | 刘月娥 |
地址: | 10220*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种提高磁阀式可控电抗器响应速度的装置,属于动态无功功率补偿技术领域。包括电力系统、MCR本体、IGBT直流励磁控制电路、快速去磁电路;MCR本体的上下两输入输出端接入电力系统;MCR本体中包含两个铁芯,两个铁芯上分别绕有线圈L1 和L2、L3和L4,四组线圈为交叉并联结构,从每个铁芯上的上下两组线圈中间引出抽头,左边铁芯上下两抽头之间连接第一IGBT直流励磁控制电路,右边铁芯上下两抽头之间连接第二IGBT直流励磁控制电路;四组线圈的交叉连接点之间接有快速去磁电路。优点在于:无需增加专门的快速励磁控制电路,只需控制IGBT触发脉冲的占空比即可实现快速励磁。即保留了MCR无功功率连续可调,工作安全稳定,又极大地提高了MCR的响应速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 磁阀式 可控 电抗 响应 速度 装置 | ||
【主权项】:
一种提高磁阀式可控电抗器响应速度的装置,其特征在于,包括电力系统(1)、MCR本体(2)、IGBT直流励磁控制电路、快速去磁电路(5);MCR本体(2)的上下两输入输出端接入电力系统(1);MCR本体(2)中包含两个铁芯,两个铁芯上分别绕有线圈L1 和L2、L3和L4,四组线圈为交叉并联结构,从每个铁芯上的上下两组线圈中间引出抽头,左边铁芯上下两抽头之间连接第一IGBT直流励磁控制电路(3),右边铁芯上下两抽头之间连接第二IGBT直流励磁控制电路(4);四组线圈的交叉连接点之间接有快速去磁电路(5);快速去磁电路(5)由续流二极管D8串联IGBT4,并在IGBT4两端反并联起保护作用的二极管D7,再在IGBT4和二极管D8组成的续流支路两端并联一个大功率电阻R和二极管D6和IGBT3串联构成的支路,并在IGBT3两端反并联起保护作用的二极管D6。
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