[发明专利]具有改善的量子效率的光电探测器有效
| 申请号： | 201210377179.3 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103033839B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | A.J.库图尔;S.J.杜克罗斯;J.J.项;G.帕塔萨拉蒂 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | G01T1/20 | 分类号： | G01T1/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 姜甜,李浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明名称为“具有改善的量子效率的光电探测器”。本文方法涉及带有提高的量子效率的辐射探测器模块和装配该辐射探测器模块的方法。模块包括闪烁器衬底和在闪烁器衬底上装配的光电探测器。光电探测器包括阳极、活性有机元件、和阴极。模块还包括部署在光电探测器之上的像素元素阵列。在成像期间，由将要成像的对象衰减的辐射可传播通过像素元素阵列和通过由光电探测器的多层，以被闪烁器吸收，闪烁器作为响应发射光量子。光电探测器可吸收光子以及以改善的量子效率生成电荷，因为光子可能不被阴极或模块的其他层遮掩。进一步地，模块可在阴极中和在像素元素阵列处包括反射材料，以将光量子导向活性有机元件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 量子 效率 光电 探测器 | ||
【主权项】：
一种辐射探测器模块，包含：薄膜晶体管(TFT)阵列；部署在所述薄膜晶体管（TFT）阵列之下的光电探测器，所述光电探测器包含：部署在所述薄膜晶体管（TFT）阵列之下的阴极；部署在所述阴极之下的活性有机元件；以及部署在所述活性有机元件之下的阳极；其中所述阴极在面向所述活性有机元件的一面是反射的，以及其中所述阴极的反射面配置成将由闪烁器生成的光量子反射回所述活性有机元件；部署在所述光电探测器之下的闪烁器衬底，其中所述闪烁器衬底吸收通过所述薄膜晶体管（TFT）阵列和所述光电探测器的辐射，并响应所吸收的辐射发射光量子，以及其中所述光电探测器吸收由所述闪烁器发射的光量子并响应所吸收的光量子生成电荷。
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