[发明专利]迹线上凸块封装结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201210377454.1 申请日: 2012-10-08
公开(公告)号: CN103545278A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 陈孟泽;林威宏;林志伟;黄贵伟;黄晖闵;郑明达;刘重希 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种器件包括第一封装部件、以及位于第一封装部件顶面上的第一金属迹线和第二金属迹线。该器件还包括覆盖第一封装部件的顶面、第一金属迹线和第二金属迹线的介电掩模层,其中在介电掩模层中具有暴露第一金属迹线的开口。该器件还包括第二封装部件和在第二封装部件上形成的互连件,该互连件具有金属凸块和在金属凸块上形成的焊料凸块,其中焊料凸块接触位于介电掩模层的开口中的第一金属迹线。本发明提供了迹线上凸块封装结构及其形成方法。
搜索关键词: 线上 封装 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
一种器件,包括:第一封装部件;第一金属迹线和第二金属迹线,位于所述第一封装部件的顶面上;介电掩模层,覆盖所述第一封装部件的顶面、所述第一金属迹线和所述第二金属迹线,其中,在所述介电掩模层中具有暴露所述第一金属迹线但不暴露所述第二金属迹线的开口;第二封装部件;以及互连件,形成在所述第二封装部件上,所述互连件具有金属凸块和形成在所述金属凸块上的焊料凸块,其中所述焊料凸块接触位于所述介电掩模层的开口中的所述第一金属迹线。
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