[发明专利]多层芯片电子元件有效
| 申请号： | 201210377703.7 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103515052B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 韩镇宇;金明基;安成庸;金益燮;文炳喆 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01F17/00 | 分类号： | H01F17/00;H01F27/28;H01F41/04 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 金光军,刘奕晴 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种多层芯片电子元件，该多层芯片电子元件包括多层体，该多层体形成为2016‑尺寸或更小并且包括多层磁性层；导电图案，该导电图案在所述多层体内沿层叠方向电连接以形成线圈图案；以及非磁性间隔层，该非磁性间隔层越过位于所述多层磁性层之间的所述多层体的层叠表面形成，并且具有厚度Tg，该厚度Tg的范围为1μm≤Tg≤7μm，其中所述非磁性间隔层的数量可以是间隔层的数量的范围为位于所述磁性层之间的至少四层至线圈图案的匝数之间。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 芯片 电子元件 | ||
【主权项】：
一种多层芯片电子元件，该多层芯片电子元件包括：多层体，该多层体包括多层磁性层；导电图案，该导电图案在所述多层体内沿层叠方向电连接以形成线圈图案；以及多个非磁性间隔层，包括非磁性材料，多个该非磁性间隔层越过位于多层所述磁性层之间的所述多层体的层叠表面形成在所述多层体的每个上部和下部中，并且所述非磁性间隔层具有厚度Tg，该厚度Tg的范围为1μm≤Tg≤7μm，所述非磁性间隔层的数量的范围在至少四层至所述线圈图案的匝数之间，其中，所述导电图案形成在多层所述磁性层，多层所述磁性层彼此直接相邻，所述多层体的上部和下部之间的中心部没有介入的非磁性间隔层，其中，所述多个非磁性间隔层形成在直接相邻的磁性层的整个长度和宽度上，且非磁性材料在所述整个长度和宽度上连续地延伸。
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