[发明专利]集成电路封装及其形成方法有效
| 申请号： | 201210377778.5 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103515314A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 杜家玮;郭彦良;吕文雄;陈宪伟;蔡宗甫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路封装及其形成方法，该方法包括：在晶片的衬底上方形成电连接件；然后形成聚合物层，其中，至少部分电连接件形成在该聚合物层中。执行第一锯切步骤从而在该聚合物层中形成沟槽。第一锯切步骤完成后，执行第二锯切步骤从而将晶片锯切成多个管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在晶片的衬底上方形成电连接件；模制聚合物层，其中，所述电连接件的至少一部分被模制在所述聚合物层中；执行第一锯切步骤，以在所述聚合物层中形成沟槽；以及在所述第一锯切步骤后，执行第二锯切步骤，以将所述晶片锯切成多个管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
