[发明专利]半导体芯片的构造及制作方法有效
申请号: | 201210377953.0 | 申请日: | 2012-10-08 |
公开(公告)号: | CN102931156A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 郑斌宏 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/78;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体芯片的构造及制作方法。所述半导体芯片具有数个凹槽,分别是一长条形半环状凹槽,分别位于定义芯片尺寸的四个侧边上,且所述凹槽的长度小于所述芯片的侧边的边长并与相邻的凹槽不相连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 构造 制作方法 | ||
【主权项】:
一种半导体芯片,其特征在于:所述半导体芯片构造包含:一电路层;一有源表面,设有复数个芯片焊垫用以电性连接至所述电路层;一无源表面,设有一金属层及多个凹槽,所述金属层不覆盖所述凹槽;及多个硅穿导孔,接触所述金属层且电性连接所述金属层至所述电路层;其中每一所述凹槽呈分别位于所述芯片的四个侧边上,且每一所述凹槽的长度小于所述芯片的侧边的边长。
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