[发明专利]自对准双重图形的形成方法有效
| 申请号： | 201210378503.3 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103715080A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种自对准双重图形的形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层表面具有第一牺牲层，第一牺牲层的宽度与相邻第一牺牲层之间的距离相同；在第一牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成第一掩膜侧墙；在待刻蚀层表面形成覆盖第一掩膜侧墙表面的第二牺牲层，第二牺牲层的表面与第一牺牲层的表面齐平；在形成第二牺牲层之后，去除第一牺牲层，并暴露出待刻蚀层表面；在去除第一牺牲层之后，在第二牺牲层和第一掩膜侧墙两侧的刻蚀层表面形成第二掩膜侧墙，第二掩膜侧墙的剖面形状与第一掩膜侧墙的剖面形状对称；在形成第二掩膜侧墙之后，去除第二牺牲层。采用所形成的双重图形为掩膜进行刻蚀的图形尺寸及形貌统一。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 双重 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准双重图形的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有第一牺牲层，所述第一牺牲层的宽度与相邻第一牺牲层之间的距离相同；在所述第一牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成第一掩膜侧墙；在所述待刻蚀层表面形成覆盖所述第一掩膜侧墙表面的第二牺牲层，所述第二牺牲层的表面与所述第一牺牲层的表面齐平；在形成所述第二牺牲层之后，去除所述第一牺牲层，并暴露出待刻蚀层表面；在去除所述第一牺牲层之后，在所述第二牺牲层和第一掩膜侧墙两侧的刻蚀层表面形成第二掩膜侧墙，所述第二掩膜侧墙的剖面形状与所述第一掩膜侧墙的剖面形状对称；在形成第二掩膜侧墙之后，去除所述第二牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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