[发明专利]一种原生硅的清洗方法有效
| 申请号： | 201210379754.3 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103706594A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 崔凤磊;蔚建勇;张瑞峰 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵;李玉秋 |
| 地址： | 314117 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种原生硅的清洗方法，包括：a）将原生硅在草酸的水溶液中进行超声酸洗；b）将所述超声酸洗的原生硅在清洗剂的水溶液中超声乳化；c）将所述超声乳化的原生硅在水中进行超声水洗。本发明提供的清洗方法既能够清洗原生硅中的杂质，又能够降低原生硅损耗，且清洗成本低廉。能够有效清除过渡金属元素。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原生 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种原生硅的清洗方法，其特征在于，包括：a）将原生硅在草酸的水溶液中进行超声酸洗；b）将所述超声酸洗的原生硅在清洗剂的水溶液中超声乳化；c）将所述超声乳化的原生硅在水中进行超声水洗。
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