[发明专利]EML激光器的电吸收反向偏置电压调优算法有效

专利信息
申请号: 201210380205.8 申请日: 2012-10-09
公开(公告)号: CN102882115A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 孙朝元;易志林;杨振宇 申请(专利权)人: 索尔思光电(成都)有限公司
主分类号: H01S3/10 分类号: H01S3/10;H04B10/50
代理公司: 四川力久律师事务所 51221 代理人: 林辉轮;王芸
地址: 611731 四川省成都市高新区西*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种EML激光器的电吸收反向偏置电压调优算法,该电吸收反向偏置电压调优算法,首先设置电吸收反向偏置电压最小初始值,再在EML激光器工作波长满足要求的前提下,调整光眼图交叉点、消光比、温度、自动光功率控制的取值,使得EML激光器的光眼图交叉点、消光比、输出光功率、工作波长满足使用要求;再检测电吸收反向偏置电压VEA是否达到设定的电吸收反向偏置电压范围的最大值:如果没有则逐渐增加VEA值,直至偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量均满足设定的要求范围,此时的VEA值即为最优VEA值。本发明保证了EML激光器取得长距离传输时最小色散,且提高了EML激光器的生产良率。
搜索关键词: eml 激光器 吸收 反向 偏置 电压 算法
【主权项】:
一种EML激光器的电吸收反向偏置电压调优算法,其特征在于,该电吸收反向偏置电压调优算法包括以下步骤:步骤1:设置电吸收反向偏置电压、光眼图交叉点、消光比、TEC温度、自动光功率控制的初始值;步骤2:调整光眼图自动光功率控制的取值,TEC温度,交叉点,消光比,使得EML激光器的光眼图交叉点、消光比、输出光功率、工作波长满足使用要求;步骤3:使用波长测试仪检测EML激光器工作波长是否处于使用要求范围内,如果波长处于使用要求范围内则进入步骤4,否则结束算法;步骤4:测试偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量,如果偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量均满足设定的要求范围,则调试成功,此时的VEA值即为最优VEA值,否则进入步骤5;步骤5:检测电吸收反向偏置电压VEA是否达到设定的电吸收反向偏置电压范围的最大值:如果电吸收反向偏置电压未达到VEA范围的最大值,则逐渐增加VEA值,直至偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量均满足设定的要求范围,此时的VEA值即为最优VEA值;如果电吸收反向偏置电压达到VEA范围的最大值,则检测偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量;如果偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量均满足设定的要求范围,则调试成功, 此时的最大VEA值即为最优VEA值,否则算法结束。
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