[发明专利]侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210380553.5 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102903815A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 田婷;谢海忠;张逸韵;王兵;杨华;李璟;伊晓燕;王国宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/04;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种侧面粗化的倒装发光二极管及其制作方法，其中侧面粗化的倒装发光二极管，包括：一上衬底和依次在上衬底上生长的成核层和电子注入层，该电子注入层的一侧形成一台面；一发光层生长在电子注入层上；一空穴注入层生长在发光层上；一P电极制作在空穴注入层上；一N电极制作在电子注入层的台面上，形成LED芯片；一下衬底；一绝缘层生长在下衬底上；一P线电极制作在绝缘层上面的一侧；一N线电极制作在绝缘层上面的另一侧，形成倒装基板；该LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接；该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接。可以大大提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 侧面 倒装 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种侧面粗化的倒装发光二极管，包括：一上衬底和依次在上衬底上生长的一成核层和电子注入层，该电子注入层的一侧形成一台面；一发光层，该发光层生长在电子注入层上；一空穴注入层，该空穴注入层生长在发光层上；一P电极，该P电极制作在空穴注入层上；一N电极，该N电极制作在电子注入层的台面上，形成LED芯片；一下衬底；一绝缘层，该绝缘层生长在下衬底上；一P线电极，该P线电极制作在绝缘层上面的一侧；一N线电极，该N线电极制作在绝缘层上面的另一侧，形成倒装基板；该LED芯片的P电极与倒装基板的P线电极通过金属焊球连接；该LED芯片的N电极与倒装基板的N线电极通过金属焊球连接。
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