[发明专利]用于纯化四氟化硅的方法无效
| 申请号： | 201210380839.3 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102862990A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 维塔尔·雷万卡尔;贾米勒·伊布拉希姆 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 唐秀玲;林柏楠 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供通过使源气体进行一个或多个纯化工艺来纯化四氟化硅源气体的方法，所述纯化工艺包括：将四氟化硅源气体与离子交换树脂接触以除去酸性杂质、将四氟化硅源气体与催化剂接触以除去一氧化碳、通过使用吸收液除去二氧化碳，以及通过低温蒸馏除去惰性化合物；本发明还提供适合从四氟化硅源气体中除去一氧化碳的催化剂和用于制备这样的催化剂的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纯化 氟化 方法 | ||
【主权项】：
一种用于从四氟化硅气体中除去杂质的催化剂，所述催化剂包含：具有表面的惰性基材，其选自氧化锆、水合硅酸铝、二氧化硅、氧化铝、氧化钇和它们的混合物，该惰性基材包含金属氧化物稳定剂，其中该金属氧化物稳定剂包含选自镧系元素、锕系元素、镁、钇、钙及其混合物的金属，惰性基材中稳定剂的量低于约0.1重量%；以及催化金属氧化物，其包含惰性基材表面上或接近惰性基材表面处的选自铜、锰、铬、钴、铊、钼、银和它们的混合物的催化金属。
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