[发明专利]一种提高半导体激光器寿命方法无效

专利信息
申请号: 201210380873.0 申请日: 2012-10-10
公开(公告)号: CN102882120A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 李再金;李特;芦鹏;王勇;乔忠良;李辉;曲轶;李林;邹永刚;魏志鹏;刘国军;薄报学;马晓辉 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;H01S5/028
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于半导体光电子学技术领域,涉及一种提高半导体激光器寿命方法,即“等离子体技术-钝化技术-离子辅助和光学膜技术”一体化技术,包括:半导体激光器bar条1,经等离子体技术处理的半导体激光器bar条2,钝化膜3,前腔面膜4,后腔面膜5。将解理好的半导体激光器bar条1整齐的堆叠在专用的bar条夹具上,放入真空镀膜机里,抽取真空。当达到预定真空度时,先采用等离子体技术,进行腔面清洗,清除腔面氧化物和不稳定表面态形成经等离子技术处理的半导体激光器bar条2;再采用钝化技术,在腔面上沉积一层钝化膜3,抑制腔面再被氧化;最后采用离子辅助技术和光学膜技术,制备高激光损伤阈值前腔面膜4和后腔面膜5,提高半导体激光器腔面损伤阈值。本发明能有效地提高半导体激光器的寿命。
搜索关键词: 一种 提高 半导体激光器 寿命 方法
【主权项】:
一种提高半导体激光器寿命方法,其特征在于包括:半导体激光器bar条1,经等离子体技术处理的半导体激光器bar条2,钝化膜3,前腔面膜4,后腔面膜5,具体步骤如下:步骤1:将解理好的半导体激光器bar条整齐的堆叠在专用的bar条夹具上,放入真空镀膜机里,抽取真空。当达到预定真空度时,采用等离子体技术,进行腔面清洗。步骤2:采用钝化技术,在解理腔面上沉积一层钝化膜3。步骤3:采用离子辅助技术和光学膜技术,制备高激光损伤阈值前腔面膜4和后腔面膜5。
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