[发明专利]高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法

摘要

本发明涉及LED芯片的设计与制造，是一种高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法，其步骤包括：⑴提供蓝宝石衬底；⑵形成复式GaN半导体层；⑶生长透明导电层和三个电极；⑷切割道的深刻蚀；⑸侧壁填充；⑹减薄蓝宝石衬底和⑺切割、裂片、扩膜。本发明的制备方法有利于降低生产成本，提高使用效率，适合工业化大规模生产。用本发明的方法制造的高压交流半导体发光二极管芯片具有高压交流芯片的优点，又能避免复杂的连接方式，能减小芯片的占用面积，实现了LED芯片集成，便于实现芯片的串并联，具有功能组件的优势。

主权项

一种高压交流半导体发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供蓝宝石衬底所述蓝宝石衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对应的第二表面，所述衬底包括平片衬底或PSS衬底；（2）形成复式GaN半导体层在步骤（1）的蓝宝石衬底的第一表面生长外延，形成PNP或NPN型的复式GaN半导体层；（3）生长透明导电层和三个电极在步骤（2）形成的GaN半导体层上通过光刻及刻蚀生长透明导电层以及NPN或PNP的三个电极；（4）切割道的深刻蚀在单颗芯片切割道上进行深刻蚀，直至蓝宝石衬底为止，实现单颗芯片光电特性的分离，得到电性分离的三角形芯片组；然后，利用气相沉积法在侧壁生长二氧化硅钝化层，实现侧壁的填充；（5）侧壁填充在同一模块内相邻的芯片间蒸镀金属，使蒸镀的金属互联芯片的相应PN电极；（6) 减薄蓝宝石衬底在步骤（1）的蓝宝石衬底的第二表面的一侧减薄蓝宝石衬底；（7）切割、裂片、扩膜从所述蓝宝石衬底的第一表面沿集成模块切割道进行激光切割，从所述蓝宝石衬底的第二表面进行裂片，扩膜后得到分离的集成芯片——高压交流半导体发光二极管芯片。