[发明专利]工艺兼容去耦电容器及制造方法有效
| 申请号： | 201210382138.3 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103579174A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 涂国基;朱文定 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种工艺兼容去耦电容器器件及其制造方法。该去耦电容器器件包括在沉积工艺中沉积的第一介电层部分，该沉积工艺还沉积用于非易失性存储单元的第二介电层部分。使用单个掩模图案化这两部分。还提供了系统级芯片(SOC)器件，SOC包括RRAM单元和位于单个金属间介电层中的去耦电容器。还提供了用于形成工艺兼容去耦电容器的方法。该方法包括图案化顶部电极层、绝缘层和底部电极层以形成非易失性存储元件和去耦电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 兼容 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种去耦电容器器件，包括：底部电极；第一介电层部分，位于所述底部电极上方并与所述底部电极物理接触，在介电层沉积工艺中沉积所述第一介电层部分，所述介电层沉积工艺还沉积非易失性存储(NVM)单元中的第二介电层部分，通过单个掩模图案化所述第一介电层部分和所述第二介电层部分；以及顶部电极，位于所述第一介电层部分上方并与所述第一介电层部分物理接触，使得所述顶部电极、所述第一介电层和所述底部电极形成去耦电容器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210382138.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电子产品玻璃面板制造使用的感光抗蚀膜
- 下一篇：一种摇臂
