[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件。在衬底（10）上形成多层布线层（400）、第一电感器（310）和第二电感器（320）。通过交替地依次堆叠绝缘层和布线层t次或更多次而形成多层布线层，其中t≥3。将第一电感器（310）设置在多层布线层（400）中的第n布线层中。第二电感器（320）被设置在多层布线层（400）中的第m布线层中并位于第一电感器（310）上方，其中t≥m≥n+2。在位于第n布线层与第m布线层之间的任何一个布线层中不设置位于第一电感器（310）上方的任何电感器。第一电感器（310）和第二电感器（320）组成在两个方向中的任何一个方向上传输电信号的信号传输器件（300）。

主权项

一种半导体器件，包括：SOI衬底，其具有第一区域和第二区域；形成在所述SOI衬底上的多层布线层，该多层布线层具有依次交替地堆叠的绝缘层和布线层；形成在所述SOI衬底的上方的第一电感器；以及形成在所述SOI衬底的上方的并且位于所述第一电感器之上的第二电感器，其中，在所述第一电感器和所述第二电感器之间未形成有电感器。