[发明专利]厚膜银浆及其在半导体装置制造中的用途无效
| 申请号： | 201210382463.X | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103065700A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | K·W·韩;林育正;Y·王 | 申请（专利权）人： | E·I·内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01B1/16 | 分类号： | H01B1/16;H01B1/22;H01L31/0224;C03C3/145;C03C3/066;C03C3/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及导电银厚膜浆料组合物，所述导电银厚膜浆料组合物包含全部分散在有机介质中的Ag、玻璃料和树脂酸铑、Cr2O3或它们的混合物。本发明还涉及由所述浆料组合物形成的电极和半导体装置，具体地为包括此类电极的太阳能电池。所述浆料尤其可用于形成插片电极。 | ||
| 搜索关键词： | 厚膜银浆 及其 半导体 装置 制造 中的 用途 | ||
【主权项】：
厚膜浆料组合物，所述厚膜浆料组合物包含：(a)35‑55重量%的Ag；(b)0.5‑6重量%的玻璃料，所述玻璃料选自无铅铋型氧化物、无铅铋碲氧化物、铅碲氧化物以及它们的混合物；(c)0.08‑0.4重量%的选自树脂酸铑、Cr2O3以及它们的混合物的组分；和(d)有机介质；其中所述Ag、所述玻璃料以及选自树脂酸铑、Cr2O3以及它们的混合物的所述组分分散在所述有机介质中，并且其中所述重量%是基于所述浆料组合物的总重量计的。
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